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固體中電子的能量具有不連續(xù)的量值，電子都分布在一些相互之間不連續(xù)的能帶上。價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實(shí)際上反映了被束縛的價(jià)電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料是被稱為第三代半導(dǎo)體材料。
